隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，商業(yè)、工業(yè)、軍事及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C）的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。通過深入分析高溫產(chǎn)生的根源，我們旨在緩解其引發(fā)的問題，從而增強(qiáng)集成電路在極端條件下的穩(wěn)健性并延長使用壽命，同時優(yōu)化整體解決方案的成本。安森美（onsemi）的 Treo平臺提供了全面的產(chǎn)品開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，專為支持高溫運(yùn)行而設(shè)計(jì)。

環(huán)境溫度

IC及所有電子設(shè)備的一個關(guān)鍵參數(shù)是其能夠可靠工作的溫度范圍。具體的工作溫度范圍是根據(jù)其應(yīng)用和行業(yè)來定義的（圖 1a）。

圖1 不同應(yīng)用的溫度范圍及溫度曲線示例

例如，對于汽車 IC 而言，溫度范圍取決于電子元件的安裝位置。如果位于乘員艙內(nèi)，溫度范圍最高可達(dá) 85°C。如果位于底盤或發(fā)動機(jī)艙內(nèi)，但不直接位于發(fā)動機(jī)上，則溫度范圍最高可達(dá) 125°C?？拷蛑苯游挥诎l(fā)動機(jī)或變速箱附近，溫度范圍可達(dá) 150°C 或 160°C。在靠近剎車或液壓系統(tǒng)的底盤區(qū)域，溫度最高可達(dá) 175℃。這些對高溫的要求適用于內(nèi)燃機(jī)汽車，同時也適用于混動和全電動汽車。

當(dāng)汽車發(fā)動機(jī)運(yùn)行時，主動冷卻系統(tǒng)會有效控制溫度。然而，在最極端的情況下，如車輛行駛后停放在酷熱環(huán)境中，此時主動冷卻系統(tǒng)停止工作，發(fā)動機(jī)及其它部件的熱量逐漸擴(kuò)散，導(dǎo)致電子設(shè)備溫度上升。即便如此，當(dāng)汽車再次啟動時，所有系統(tǒng)仍需在溫度升高的條件下保持正常工作。

對于適中的溫度條件，可以定義 IC 在靜態(tài)工作溫度下的預(yù)期使用壽命。例如，在 125°C 的條件下可以連續(xù)工作 10 年。然而，對于像 175°C 這樣的高溫，使用 bulk CMOS 工藝實(shí)際上是不能實(shí)現(xiàn)的。通常，IC 不需要在其整個生命周期內(nèi)都以最高溫度運(yùn)行。在汽車行業(yè)，常采用熱曲線圖來替代固定的靜態(tài)溫度規(guī)范，將整個使用壽命劃分為不同的工作模式和溫度區(qū)間（段），只有一小部分時間需要在極高溫度下工作（圖 1b）。

將電子元件布置在更靠近應(yīng)用的高溫區(qū)域，通過減少噪音和干擾可以提高傳感器的精度和分辨率。對于大功率應(yīng)用，盡量減少大電流開關(guān)回路可減少干擾。采用局部閉環(huán)控制系統(tǒng)可減輕重量并提高性能。然而，縮小模塊尺寸會因功率密度提高和散熱問題而增加電子元件的溫度。

結(jié)溫

IC 工作時會有功耗，導(dǎo)致 IC 內(nèi)部的實(shí)際半導(dǎo)體結(jié)溫高于環(huán)境溫度。溫度的升高取決于 IC 內(nèi)部耗散的功率以及裸片與環(huán)境之間的熱阻。這種熱阻取決于封裝類型、PCB、散熱片等（見圖 2）。

圖2 結(jié)溫升高

對于功率開關(guān)、功率驅(qū)動器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、具有高壓降的線性穩(wěn)壓器（例如，在使用DC-DC轉(zhuǎn)換器不經(jīng)濟(jì)的情況下，用于汽車電池驅(qū)動模塊）或傳感器執(zhí)行器來說，裸片高功耗是不可避免的。

熱阻取決于封裝類型和熱管理方式（圖 3）。對于常用的小型封裝，結(jié)到外部環(huán)境的熱阻大約為 50-90K/W（SOIC 封裝），以及大約 30-60K/W（QFP封裝）。在某些應(yīng)用中，結(jié)至環(huán)境的熱阻可達(dá)每瓦數(shù)百開爾文。

圖3 不同封裝類型IC散熱示例

結(jié)溫在 IC 的整個裸片上并不是均勻一致的?？赡艽嬖谌绻β黍?qū)動器等高功耗區(qū)。具有高功率驅(qū)動器的 IC 裸片溫度圖示例見圖 4。

圖4 IC熱分布圖示例