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    功率器件 文章 最新資訊

    Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

    • 2013年9月5日,首屆“第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開,來自中科院半導體研究所、南...
    • 關(guān)鍵字: Si基  GaN  功率器件  

    如何實現(xiàn)IR2110驅(qū)動電路的優(yōu)化設計

    • 驅(qū)動IGBT電壓型功率器件有多種具有保護及隔離功能的集成驅(qū)動模塊。這些模塊具有多種保護功能、隔離驅(qū)動...
    • 關(guān)鍵字: 功率器件  IR2110  IGBT  

    科普混合動力車中大功率元件的五大要素

    • 盡管內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流馬達獲取車載系統(tǒng)的電氣需求,但由...
    • 關(guān)鍵字: 功率器件  混合動力車  

    關(guān)于開關(guān)電源技術(shù)技術(shù)關(guān)注點的十大闡述

    • 開關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術(shù),而它的發(fā)展趨勢又是大家必須時刻關(guān)注的問題,不然一不留神就會跟...
    • 關(guān)鍵字: 功率器件  開關(guān)電源  電源  

    隔離驅(qū)動IGBT功率器件設計技巧八大問

    • IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件,都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和...
    • 關(guān)鍵字: 隔離驅(qū)動  功率器件  

    大功率高壓變頻器功率器件熱設計淺析

    • 大型電力電子設備中,隨著溫度的增加,失效率也增加,因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設計直接關(guān)系到設備的可...
    • 關(guān)鍵字: 大功率  高壓變頻器  功率器件  

    功率器件的利器 GaN

    •   GaN是什么?   什么是GaN?GaN中文名:氮化嫁,用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu),為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m,電子遷移率 (1.25~1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。   GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SIC、金剛石等半導體材料一起,被
    • 關(guān)鍵字: GaN  功率器件  

    電子化開啟汽車新概念時代

    • 摘要:通過探討新一代汽車電子滿足消費者對汽車在安全、舒適與節(jié)能三個方面的要求方面的具體技術(shù)發(fā)展,構(gòu)畫出全新的汽車功能的未來。
    • 關(guān)鍵字: 汽車電子  汽車工業(yè)  新能源汽車  功率器件  ECU  201308  

    富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

    • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布,推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off),相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件,品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
    • 關(guān)鍵字: 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  

    瑞薩針對配有微型隔離器的IGBT驅(qū)動器發(fā)布智能功率器件

    •   微型隔離器的應用可進一步縮小電動及混合動力汽車功率逆變器的體積   瑞薩電子公司開發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動器智能器件   日本東京訊-全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)今天宣布開發(fā)出了隔離型IGBT驅(qū)動器的R2A25110KSP智能型功率器件, 適用于電動和混合動力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發(fā)的微型隔離器隔離專項技術(shù)。這些技術(shù)可為汽車應用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。   用于驅(qū)動電動和混合動力汽車中的電機
    • 關(guān)鍵字: 瑞薩  功率器件  

    如何解決驅(qū)動單元設計中的電磁兼容問題

    • 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導線傳導,在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點。驅(qū)動單元作為大功率...
    • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  電磁干擾  逆變  功率器件  

    常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

    • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
    • 關(guān)鍵字: MOSFET  功率器件  

    IR潘大偉:善用功率器件,為節(jié)能設計保駕護航

    • 在可以預見的未來,電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車,小至手機,都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
    • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  節(jié)能設計  

    揚州:電子制造業(yè)“三分天下”推動經(jīng)濟發(fā)展

    •   揚州電子信息產(chǎn)業(yè)近年來快速發(fā)展,從電線電纜獨大,到新能源和新光源產(chǎn)業(yè)崛起,“三分天下”格局初成。目前,電線電纜約占1/3,新光源和新能源各占20%強,電子信息制造業(yè)結(jié)構(gòu)趨于合理。未來將通過規(guī)劃引導、項目推動、創(chuàng)新突破等3大舉措,促進電子制造業(yè)加快發(fā)展。   布局3大產(chǎn)業(yè)   揚州電子制造業(yè)形成電線電纜、新光源、新能源3大產(chǎn)業(yè)齊頭并進新格局,結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。   目前,揚州光伏新能源產(chǎn)業(yè)已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力,多晶硅太陽能電池年產(chǎn)
    • 關(guān)鍵字: 電子制造  功率器件  

    隔離驅(qū)動IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

    • 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
    • 關(guān)鍵字: 隔離驅(qū)動  PowerMOSFET  功率器件  
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    功率器件介紹

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