[ 快訊 ]
- 主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時(shí)間表逐漸明朗:三星、SK 海力士和美光計(jì)劃
- 三星電子的半導(dǎo)體困境:HBM苦苦掙扎,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手表現(xiàn)出色
- HBM,爆炸式增長(zhǎng)
2025-07-08 HBM
- 嵌入式內(nèi)存有了新選擇
2025-07-08 PSRAM 偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
- 貿(mào)澤開售Analog Devices ADIN3310和ADIN6310工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)
2025-07-07 貿(mào)澤 Analog Devices 工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī) 以太網(wǎng)交換機(jī)
- 三星的半導(dǎo)體苦苦掙扎:這是這家科技巨頭的底部嗎?
2025-07-07 三星的半導(dǎo)體
- IDC報(bào)告分析企業(yè)網(wǎng)絡(luò)故障的成本
2025-07-04 IDC 企業(yè)網(wǎng)絡(luò)故障
- 內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新:16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升,而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力
- 美光突破PC性能邊界,推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND
2025-07-01 美光 自適應(yīng)寫入 QLC NAND
- 高性能數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備可溶于水
2025-07-01 高性能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
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