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    如何設(shè)計(jì)基于CPLD的溫度計(jì)(原理和代碼)?

    作者: 時(shí)間:2018-07-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

    1. 概述

    本文引用地址:http://www.ekcard.cn/article/201807/384017.htm

    本設(shè)計(jì)基于CPLD設(shè)計(jì)一款數(shù)字,溫度傳感器使用DS18B20,CPLD采用EPM240T100C5。DS18B20 具有體積小,硬件開銷低(只需要一根信號線),抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。EPM240T00C5具有延時(shí)低、功耗小、穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)。

    2. 硬件簡介

    硬件平臺采用BigTree的CPLD開發(fā)板,有如下硬件資源:

    CPLD EPM240T100C5;

    USB 轉(zhuǎn)串口(省去 USB 轉(zhuǎn)串口線);

    LED;

    有源蜂鳴器;

    DS18B20 溫度傳感器;

    四位共陽極數(shù)碼管;

    按鍵;

    GPIO 拓展接口(18 個(gè)通用 IO)。

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    3. 系統(tǒng)框圖


    溫度采集模塊:負(fù)責(zé)初始化、讀寫DS18B20溫度傳感器;

    十六進(jìn)制轉(zhuǎn)十進(jìn)制模塊:將DS18B20的溫度輸出數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)據(jù);

    數(shù)碼管顯示模塊:將轉(zhuǎn)換好的十進(jìn)制數(shù)據(jù)動態(tài)顯示在數(shù)碼管上。

    4. DS18B20 工作原理

    DS18B20 引腳功能

    GND: 地信號

    DQ: 數(shù)據(jù)信號線

    VDD: 電源

    存儲資源

    ROM: 只讀存儲器,用于存放 DS18B20 編碼,一共 64 位,第一個(gè) 8 位是 1-wire 家族號(28h),第二個(gè) 48 位是唯一的序列號。最后一個(gè) 8 位是前 56 位的 CRC 校驗(yàn)碼。

    RAM: 數(shù)據(jù)暫存器,共 9 個(gè)字節(jié),第 1、 2 字節(jié)是溫度轉(zhuǎn)后的數(shù)據(jù)值。

    EEPROM: 用于存放長期需要保持的數(shù)據(jù),如上下限溫度報(bào)警值等。

    設(shè)備操作

    1.初始化

    -> 數(shù)據(jù)線拉高 1;

    -> 短延時(shí);

    -> 數(shù)據(jù)線拉底 0;

    -> 延時(shí) 750ms;

    -> 數(shù)據(jù)線拉高 1;

    -> 延時(shí)等待(如果初始化成功則在 15~60 毫秒內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)由 DS18B20 返回的低電平);

    ->若讀到數(shù)據(jù)線上的低電平,再做延時(shí)(第五步算起,最少 480ms);

    -> 數(shù)據(jù)線拉高,結(jié)束。

    2.發(fā)送 ROM 指令

    ROM 指令共 5 條,每一個(gè)工作周期只能發(fā)一條,分別為:讀 ROM、匹配 ROM、跳躍ROM、查找 ROM 和報(bào)警查找。一般只有單個(gè) 18B20 芯片,可使用跳過 ROM 指令[CCH]。

    3.發(fā)送存儲器操作指令

    在 ROM 指令后,緊接著發(fā)送存儲器操作指令,分別為:

    ? 溫度轉(zhuǎn)換 44H:

    啟動 DS18B20 進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換,將溫度值放入 RAM 的第 1、 2 個(gè)地址。

    ? 讀暫存器 BEH

    從 RAM 中讀數(shù)據(jù),讀地址從 0 開始到 9,可只讀前兩個(gè)字節(jié)。

    ? 寫暫存器 4EH

    將數(shù)據(jù)寫入暫存器的 TH、 TL 字節(jié)。

    ? 復(fù)制暫存器 48H

    把暫存器的 TH、 TL 字節(jié)寫到 E2RAM 中。

    ? 重新調(diào) E2RAM B8H

    把 E2RAM 中的 TH、 TL 字節(jié)寫到暫存器 TH、 TL 字節(jié) 。

    ? 讀電源供電方式 B4H

    啟動 DS18B20 發(fā)送電源供電方式的信號給主控。

    4.讀當(dāng)前溫度數(shù)據(jù)

    需要執(zhí)行兩次工作周期,第一個(gè)周期為復(fù)位,跳過 ROM 指令,執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)換存儲器指令等待 500us 溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間。緊接著執(zhí)行第二個(gè)周期為復(fù)位,跳過 ROM 指令,執(zhí)行讀 RAM 的存

    儲器,讀數(shù)據(jù)。

    5.寫操作


    寫時(shí)隙分為寫“0”和寫“1”, 時(shí)序如圖,在寫數(shù)據(jù)時(shí)間間隙的前 15us 總線需要是被主控拉低,然后則將是芯片對總線數(shù)據(jù)的采樣時(shí)間,采樣時(shí)間在 15-60us,采樣時(shí)間內(nèi),如果主控將 總線拉高則表示寫 1,如果主控將總線拉低則表示寫 0。每一位的發(fā)送都應(yīng)該有一個(gè)至少15us 的低電平起始位隨后的數(shù)據(jù) 0 或 1 應(yīng)該在 45us 內(nèi)完成。整個(gè)位的發(fā)送時(shí)間應(yīng)該保持 在60-120us,否則不能保證通信的正常。

    6.讀操作


    讀時(shí)隙時(shí)也是必須先由主控產(chǎn)生至少 1us 的低電平,表示讀時(shí)間的起始。隨后在總線被釋放后的 15us 中 DS18B20 會發(fā)送內(nèi)部數(shù)據(jù)位。注意必須要在讀間隙開始的 15us 內(nèi)讀數(shù)據(jù)為才 可以保持通信的正確。通信時(shí),字節(jié)的讀或?qū)懯菑母呶婚_始的,即 A7 到 A0。控制器釋放總線,也相當(dāng)于將總線置 1。

    更多關(guān)于DS18B20的資料可以查看其應(yīng)用手冊。

    5. 進(jìn)制轉(zhuǎn)換(Hex2Dec)

    由于 DS18B20 輸出的是十六進(jìn)制數(shù)據(jù), 所以需要做進(jìn)制轉(zhuǎn)換為 10 進(jìn)制輸出。這里由于CPLD 資源問題,故只設(shè)計(jì)溫度顯示范圍為: 0~47 度,最小分辨率為 1 度。

    ```

    wire [7:0] data_in;

    assign data_in = {1‘b0,temperature_buf[10:4]};

    reg [7:0] buf0;

    reg [7:0] buf1;

    reg [7:0] buf2;

    reg [7:0] data_out;

    always @(*)

    case(data_in[7:4])

    0:

    begin

    buf0[3:0] = (data_in[3:0]> =10)?(data_in[3:0]-10):data_in[3:0];

    buf0[7:4] = (data_in[3:0]> =10)?(data_in[7:4]+1):data_in[7:4];

    data_out = buf0;

    end

    1:

    begin

    buf0[3:0] = (data_in[3:0]> =10)?(data_in[3:0]-10 + 6):(data_in[3:0]+6);

    buf0[7:4] = (data_in[3:0]> =10)?(data_in[7:4]+1):data_in[7:4];

    buf1[3:0] = (buf0[3:0]> =10)?(buf0[3:0]-10):buf0[3:0];

    buf1[7:4] = (buf0[3:0]> =10)?(buf0[7:4]+1):buf0[7:4];

    data_out = buf1;

    end

    2:

    begin

    buf0[3:0] = (data_in[3:0]> =10)?(data_in[3:0]-10 + 6):(data_in[3:0]+6);

    buf0[7:4] = (data_in[3:0]> =10)?(data_in[7:4]+1):data_in[7:4];


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    關(guān)鍵詞: 溫度計(jì) cpld

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