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    電源設(shè)計小貼士 設(shè)計CCM反激式轉(zhuǎn)換器

    作者: 時間:2025-06-18 來源:EEPW 收藏
    編者按:本文屬于德州儀器“電源設(shè)計小貼士”系列技術(shù)文章,將聚焦于CCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計,探討CCM反激式轉(zhuǎn)換器在中等功耗隔離應(yīng)用中的優(yōu)勢。


    本文引用地址:http://www.ekcard.cn/article/202506/471429.htm

    連續(xù)導(dǎo)通模式()通常用于中等功耗的隔離型應(yīng)用。與不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 運(yùn)行相比,運(yùn)行的特點(diǎn)是具有更低的峰值開關(guān)電流、更低的輸入和輸出電容、更低的EMI以及更窄的工作占空比范圍。由于具有這些優(yōu)點(diǎn)并且成本低廉,它們已廣泛應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)領(lǐng)域。本文將提供設(shè)計注意事項(xiàng)中,53Vdc 至 12V/5A  的功率級設(shè)計公式。

    圖1展示了工作頻率為250kHz的60W反激式轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)原理圖。所選占空比在最低輸入電壓(51V)和最大負(fù)載時最大,為 50%。雖然也可以在超過50%占空比的情況下運(yùn)行,但在本設(shè)計中無此必要。由于57V的高壓線路輸入電壓相對較低,因此在 CCM 運(yùn)行時,占空比只會降低幾個百分點(diǎn)。但如果負(fù)載大幅降低,轉(zhuǎn)換器進(jìn)DCM運(yùn)行模式,占空比就會顯著降低。

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    圖1 60W CCM反激式轉(zhuǎn)換器原理圖

    設(shè)計規(guī)格

    為防止磁芯飽和,繞組開/關(guān)時間的伏秒積必須保持平衡。這等于方程式1:

    1750254252672311.png

    方程式1

    將dmax設(shè)置為0.5并計算Nps12(Npri: N12V)和Nps14(Npri: N14V)的匝數(shù)比,如方程式2和方程式3所示:

    1750254272703498.png

    方程式2

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    方程式3

    變壓器匝數(shù)比現(xiàn)已設(shè)定(方程式4和方程式5),因此可計算出工作占空比和FET電壓。

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    方程式4

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    方程式5

    Vdsmax表示FET Q2漏極上無振鈴的“平頂”電壓。振鈴?fù)ǔEc變壓器漏電感、寄生電容(T1、Q1、D1)和開關(guān)速度有關(guān)。選擇200V FET時,F(xiàn)ET 電壓會再降低25%至50%。變壓器繞組之間必須實(shí)現(xiàn)良好耦合,如有可能,最大漏電感必須為1%或更低,以更大限度地減少振鈴。

    當(dāng)Q2導(dǎo)通時,二極管D1的反向電壓應(yīng)力等于方程式6:

    1750254345778799.png

    方程式6

    由于漏電感、二極管電容和反向恢復(fù)特性的影響,當(dāng)次級繞組擺幅為負(fù)時,振鈴現(xiàn)象很常見。具體請參閱方程式7:

    1750254362427519.png

    方程式7

    我們選擇了額定值為30A/45V的D2PAK封裝,以便在10A電流下將正向壓降減至0.33V。功率耗散等于方程式8:

    1750254388822719.png

    方程式8

    建議使用散熱器或氣流進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒峁芾?。初級電感的計算公式為方程?9:

    1750254407397025.png

    方程式9

    POUTMIN是轉(zhuǎn)換器進(jìn)入DCM的位置,通常為POUTMAX的20%至30%。

    初級峰值電流出現(xiàn)在VINMIN時,等于:

    1750254428608000.png

    方程式10

    這對于確定最大電流檢測電阻 (R18) 值而言是必要的,能夠防止控制器的初級過流 (OC) 保護(hù)電路跳閘。對于 UCC3809,R18 兩端的電壓不能超過 0.9V,以保證全輸出功率。在本例中,我們選擇 0.18Ω。也可以使用更小的電阻,以減少功率損耗。但過小的電阻會增加噪聲靈敏度,并使 OC 閾值處于高電平,有可能導(dǎo)致變壓器飽和,更糟糕的是,甚至?xí)?dǎo)致 OC 故障期間出現(xiàn)與應(yīng)力相關(guān)的電路故障。電流檢測電阻耗散的功率為方程式 11:

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    方程式11

    根據(jù)方程式12和方程式13估算FET導(dǎo)通損耗和關(guān)斷開關(guān)損耗:

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    方程式12

    1750254517170643.png

    方程式13

    與 Coss 相關(guān)的損耗計算有些模糊,因?yàn)樵撾娙菥哂邢喈?dāng)高的非線性度,會隨著 Vds 的增加而降低,在本設(shè)計中估計為 0.2W。

    電容器要求通常包括計算最大均方根電流、獲得預(yù)期紋波電壓所需的最小電容以及瞬態(tài)保持。輸出電容Coutmin和 Ioutrms 的計算公式為方程式 14 和方程式 15:

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    方程式14

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    方程式15

    可以僅使用陶瓷電容器,但在直流偏置效應(yīng)后需要 7 個陶瓷電容器才能實(shí)現(xiàn) 83μF。因此,我們只選擇了足以處理均方根電流的電容器,然后使用了電感器—電容器濾波器來降低輸出紋波電壓并改善負(fù)載瞬態(tài)。如果存在較大的負(fù)載瞬態(tài),可能需要額外的輸出電容來減少壓降。

    輸入電容等于方程式 16:

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    方程式16

    同樣,您必須考慮會損耗電容的直流偏置效應(yīng)。如方程式17所示,均方根電流約為:

    1750254590158099.png

    方程式17

    圖2展示了原型轉(zhuǎn)換器的效率,而圖3展示了反激式評估板。

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    圖2 轉(zhuǎn)換器的效率和損耗決定了封裝的選擇和散熱要求

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    圖3 60W反激式評估硬件尺寸為100mmx35mm

    結(jié)語

    本設(shè)計示例介紹了功能性 CCM 反激式設(shè)計的基本元件計算。然而,初始估算通常需要反復(fù)計算,以便進(jìn)行微調(diào)。不過,為了獲得運(yùn)行良好且優(yōu)化的反激式轉(zhuǎn)換器,在變壓器設(shè)計和控制環(huán)路穩(wěn)定等方面,往往還需要做更多的細(xì)節(jié)工作。

    小貼士”系列技術(shù)文章由專家創(chuàng)建并撰寫,旨在深入剖析當(dāng)前普遍面臨的難題,并提供一系列切實(shí)可行的解決方案和創(chuàng)新設(shè)計思路,幫助設(shè)計人員更好應(yīng)對挑戰(zhàn),助力設(shè)計更加高效、可靠。



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