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    Q3報價談判啟動 內(nèi)存供應鏈吃緊 報價看漲

    作者: 時間:2025-06-30 來源:TrendForce 收藏

    隨著第二季即將結束,多家原廠已展開第三季合約報價談判。 原廠持續(xù)執(zhí)行減產(chǎn)、并調(diào)整產(chǎn)品組合,市場供需變化牽動價格走勢分歧,尤以高帶寬記憶體(HBM)、LPDDR4X與DDR4等關鍵產(chǎn)品為觀察重點。

    本文引用地址:http://www.ekcard.cn/article/202506/471848.htm

    根據(jù)調(diào)查,2025年DRAM整體位元產(chǎn)出將年增約25%,但若排除HBM產(chǎn)品,一般型DRAM位年增幅約20%,其中,三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%,反映產(chǎn)能資源向HBM傾斜。

    HBM成為AI服務器核心零組件,供應持續(xù)吃緊,特別是HBM3e更面臨嚴重短缺,推升報價動能。

    在一般型DRAM部分,2025年供應預期充足,若需求未如預期復蘇,部分產(chǎn)品價格恐面臨回調(diào)壓力。

    惟從近期供需狀況來看,產(chǎn)業(yè)界人士觀察,LPDDR4X現(xiàn)貨供應趨緊,報價再度上揚; 高規(guī)格DDR4如16Gb 3200與8Gb 3200價格也已上調(diào)至每顆6.40與3.20美元。 通路端則進入高檔盤整階段,出現(xiàn)「有價無市」、交期延長的現(xiàn)象,買氣轉弱。

    另一方面,NAND Flash市場在原廠減產(chǎn)策略發(fā)酵下,供需逐步改善。 中國以舊換新政策,有效刺激智能手機銷量,加快庫存去化。

    市場也觀察到256Gb NAND停產(chǎn)后,512Gb產(chǎn)品詢問度快速上升,小容量嵌入式Flash需求轉向高容量eMMC與eMCP產(chǎn)品。

    企業(yè)端儲存需求則隨英偉達(NVIDIA)于下半年擴大Blackwell系列出貨而走強,加上DeepSeek技術降低AI服務器建置門檻,帶動中小企業(yè)導入AI動能,有利存儲需求。

    30TB以上Enterprise SSD具備高效能與成本優(yōu)勢,有望成為中小型企業(yè)優(yōu)先采購項目,進一步推升SSD整體需求。

    盡管部分QLC NAND如1Tb晶圓價格略有松動,下修至每片5.05美元,但整體NAND報價仍平穩(wěn)。

    部分工業(yè)與海外PC客戶已接受存儲器與SSD價格上調(diào),僅品牌廠商備貨意愿略為觀望。

    市場普遍預期,第三季存儲器價格將延續(xù)高端產(chǎn)品強勢、中低端產(chǎn)品分歧的走勢,整體產(chǎn)業(yè)仍朝正向循環(huán)邁進。




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