ASML研發(fā)5納米分辨率Hyper NA光刻機(jī)
據(jù)外媒報(bào)道,ASML正與蔡司(Carl Zeiss)合作,啟動(dòng)研發(fā)分辨率可達(dá)5納米的Hyper NA光刻機(jī)設(shè)備。ASML技術(shù)執(zhí)行副總裁Jos Benschop表示,這種新型光刻機(jī)將滿足2035年及之后的芯片制造需求。
目前,ASML剛剛開(kāi)始出貨最先進(jìn)的光刻機(jī),其單次曝光分辨率可達(dá)8納米,相比舊款設(shè)備需要多次曝光才能實(shí)現(xiàn)類(lèi)似效果。
Benschop還提到,ASML正與蔡司進(jìn)行設(shè)計(jì)研究,目標(biāo)是開(kāi)發(fā)數(shù)值孔徑(NA)達(dá)到0.7或更高的系統(tǒng)。數(shù)值孔徑是衡量光學(xué)系統(tǒng)聚焦能力的重要指標(biāo),直接影響光刻分辨率。NA越高,光波長(zhǎng)越短,投影精度也越高。目前主流EUV設(shè)備的NA為0.33,而最新一代High NA EUV設(shè)備已提升至0.55。ASML正邁向NA 0.7或更高的Hyper NA階段,這需要重新設(shè)計(jì)多個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)。
據(jù)悉,ASML已向英特爾和臺(tái)積電交付了首批High NA EUV設(shè)備。Benschop指出,這類(lèi)設(shè)備的大規(guī)模應(yīng)用仍需時(shí)日。客戶需要驗(yàn)證新系統(tǒng)的性能,并開(kāi)發(fā)配套材料與工具,這一過(guò)程通常需要數(shù)年時(shí)間。他補(bǔ)充道:“客戶需要適應(yīng)新設(shè)備的操作方式,但我相信它很快會(huì)被廣泛用于高產(chǎn)能芯片制造?!?br/>
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