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    HTN865B 150W大功率內(nèi)置MOS升壓芯片方案

    作者:深圳市永阜康科技有限公司 梁雄 時(shí)間:2025-07-15 來源:EEPW 收藏
    編者按:在很多鋰電池供電的電子產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)涉及到升壓電路的設(shè)計(jì),對(duì)于較大的功率輸出、如70W以上的DC-DC升壓電路,基本上都是采用控制器外接開關(guān)管的Boost升壓結(jié)構(gòu)。但是這種升壓電路也有很多弊端:外圍電路復(fù)雜、PCB空間大、布局布線要求高,調(diào)試過程繁瑣,成本高。

    引言

    深圳市科技有限公司針對(duì)大功率的升壓應(yīng)用需求,推廣一款集成20A開關(guān)管的36V輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC-HTN865B。HTN865B采用獨(dú)到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,重載時(shí)高達(dá)95%以上的工作效率,無需外加散熱器,可穩(wěn)定輸出150W。

    概述

    HTN865B是一款高功率異步升壓轉(zhuǎn)換器,集成8mΩ功率開關(guān)管,為便攜式系統(tǒng)提供高效的小尺寸解決方案。 

    HTN865B具有2.8V至36V寬輸入電壓范圍,可為不同應(yīng)用的不同供電方式提供支持。該器件具備20A開關(guān)電流能力,并且能夠提供高達(dá)36V的輸出電壓。

    HTN865B還支持可編程的軟啟動(dòng),以及可調(diào)節(jié)的開關(guān)峰值電流限制。

    HTN865B通過RT管腳外接電阻調(diào)整開關(guān)頻率, 開關(guān)頻率范圍為100KHz-1000KHz。

    HTN865B采用峰值電流模式控制和外置補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),更簡(jiǎn)單更靈活的使系統(tǒng)穩(wěn)定。

    HTN865B通過EN可以控制開啟和關(guān)斷。

    特點(diǎn)

    ●   寬輸入電源范圍2.8V-36V, 輸出電壓范圍:最高 36V

    ●   內(nèi)置40V 8mΩ功率NMOS

    ●   開關(guān)頻率可調(diào)100K-1MHz

    ●   開關(guān)MOS過流閾值可調(diào),最高20A

    ●   欠壓保護(hù)和過熱關(guān)斷保護(hù)

    ●   無鉛封裝,ETSSOP20

    應(yīng)用

    藍(lán)牙/ Wi-Fi音箱、充電 、移動(dòng)電源、電子煙、大功率應(yīng)急電源

    HTN865B應(yīng)用信息

    1、HTN865B腳位圖

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    2、HTN865B管腳說明

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    3、HTN865B DEMO應(yīng)用示意圖

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    4、HTN865B DEMO板PCB頂層設(shè)計(jì)圖

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    5、HTN865B DEMO板PCB底層設(shè)計(jì)圖

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    6、HTN865B DEMO板貼片圖

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    7、HTN865B DEMO板物料清單

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    8、HTN865B DEMO板實(shí)物圖

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    關(guān)鍵詞: MOS升壓芯片 永阜康

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