mosfet模型 文章 最新資訊
ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進(jìn)。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
- 關(guān)鍵字： ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
采用高可信度的MOSFET模型進(jìn)行基于模型的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計
- 在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，可以使用仿真模型在多個設(shè)計維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡易的器件模型無法在設(shè)計中提供與之相匹敵的可信度。本文探討了功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員該如何結(jié)合使用系統(tǒng)級模型和精細(xì)模型，探索設(shè)計空間，并帶來高可信度結(jié)果。本文使用MathWorks的系統(tǒng)級建模工具Simulink? 和 Simscape?，以及精細(xì)的英飛凌車規(guī)級MOSFET SPICE子電路），對該過程進(jìn)行示范性展示。?引言在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 高可信度 MOSFET模型 基于模型 功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計
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mosfet模型介紹
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