一本精品热在线视频,久久免费视频分类,精品婷婷乱码久久久久久蜜桃,在线可以免费观看的Av

<mark id="vd61v"><dl id="vd61v"></dl></mark>
    <sub id="vd61v"><ol id="vd61v"></ol></sub>

  • <sub id="vd61v"><ol id="vd61v"></ol></sub>

    新聞中心

    EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”

    ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”

    —— 功率半導(dǎo)體的仿真速度實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍
    作者: 時(shí)間:2025-06-11 來源:EEPW 收藏


    本文引用地址:http://www.ekcard.cn/article/202506/471272.htm

    全球知名半導(dǎo)體制造商(總部位于日本京都市)近日宣布,推出新 Level 3(L3)”,該模型提升了收斂性和仿真速度。

    功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響,因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中,模型的精度至關(guān)重要。以往提供的SiC MOSFET用“ROHM Level 1(L1)”,通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性,滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面,該模型存在仿真收斂性問題和運(yùn)算時(shí)間較長等問題,亟待改進(jìn)。

    新模型“(L3)”通過采用簡化的模型公式,能夠在保持計(jì)算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時(shí),將仿真時(shí)間較以往L1模型縮短約50%。由此,能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析,從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計(jì)階段的器件評估與損耗確認(rèn)的效率。

    (L3)”的第4代(共37款機(jī)型)已于2025年4月在官網(wǎng)上發(fā)布,用戶可通過產(chǎn)品頁面等渠道下載。新模型L3推出后,以往模型仍將繼續(xù)提供。另外,ROHM還發(fā)布了詳細(xì)的使用說明白皮書,以幫助用戶順利導(dǎo)入新模型。

    1749631889627937.png

    用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計(jì)模型”中下載

    未來,ROHM將繼續(xù)通過提升仿真技術(shù),助力實(shí)現(xiàn)更高性能以及更高效率的應(yīng)用設(shè)計(jì),為電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的革新貢獻(xiàn)力量。



    關(guān)鍵詞: ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型

    評論


    相關(guān)推薦

    技術(shù)專區(qū)

    關(guān)閉