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自動測試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案
- 問題人工智能(AI)應(yīng)用對高性能內(nèi)存，特別是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長，這是否會導(dǎo)致自動測試設(shè)備(ATE)廠商的設(shè)計變得更加復(fù)雜？回答AI需要高密度和高帶寬來高效處理數(shù)據(jù)，因此HBM至關(guān)重要。ATE廠商及其開發(fā)的系統(tǒng)需要跟上先進內(nèi)存接口測試的發(fā)展步伐。ADI公司的CMOS開關(guān)非常適合ATE廠商的內(nèi)存晶圓探針電源測試。這些CMOS開關(guān)擁有快速導(dǎo)通和可擴展性等特性，能夠提升測試并行處理能力，從而更全面、更快速地測試內(nèi)存芯片。簡介隨著AI應(yīng)用對高性能內(nèi)存，尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長，內(nèi)存芯
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自動測試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案
- 本文提出，CMOS開關(guān)可以取代自動測試設(shè)備(ATE)廠商使用的PhotoMOS?開關(guān)。CMOS開關(guān)的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進內(nèi)存測試時代ATE廠商不斷升級的需求。
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路
- 前言 Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨特的光電元件的特點、構(gòu)造、布線等。 FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
- b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā) 隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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