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	sic mosfet模型
    

    
	
    
    	
    
    	  	
    
              	
    
                	
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    全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關鍵特性解析 
    
                                                            
      
                    	
    • 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
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    • 關鍵字：
                        碳化硅  SiC  MOSFET                          
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    SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產前夕國內廠商風口狂追
    
                                                            
      
                    	
    • 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現(xiàn)新進展。從國內外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產前夕，國產廠商方面則有更多廠家具備量產能力，產業(yè)鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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    • 關鍵字：
                        SiC  8英寸                          
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    將達100億美元，SiC功率器件市場急速擴張
    
                                                            
      
                    	
    • SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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    • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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    Wolfspeed 8英寸SiC襯底產線一期工程封頂
    
                                                            
      
                    	
    • 3月28日消息，當?shù)貢r間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設備進場，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開始生產，預計竣工達產后Wolfspeed的SiC襯底產量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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    • 關鍵字：
                        碳化硅  Wolfspeed  SiC  瑞薩  英飛凌                          
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    近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增
    
                                                            
      
                    	
    • 隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產更多的芯片，從而減少邊緣浪
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    • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅                          
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    如何通過SiC增強電池儲能系統(tǒng)？
    
                                                            
      
                    	
    • 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
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    • 關鍵字：
                        安森美  SiC  電池儲能                          
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    SiC是如何「拯救」降價車企的？
    
                                                            
      
                    	
    • 進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為，車市降價是由于新技術帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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    • 關鍵字：
                        SiC                          
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    納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術展望快充未來
    
                                                            
      
                    	
    • 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
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    • 關鍵字：
                        納微半導體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充                          
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    納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1
    
                                                            
      
                    	
    • 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進一步兼容CiA 601-4標準，可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡多節(jié)點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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    • 關鍵字：
                        納芯微  振鈴抑制  CAN SIC                          
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    基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設計為先進電機應用鋪平了道路
    
                                                            
      
                    	
    • 先進電機應用（如高轉速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
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    • 關鍵字：
                        SiC  逆變器  電機  CISSOID  Silicon Mobility                          
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    Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
    
                                                            
      
                    	
    • 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
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    • 關鍵字：
                        Qorvo  1200V  SiC模塊  SiC                          
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    內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠智能化 
    
                                                            
      
                    	
    • 本文的關鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴大生產線的智能化程度，在生產線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進生產線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進一步提升生產效率和產品品質，還需要推進無碳生產（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產效率和
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    • 關鍵字：
                        電力轉換  SiC  MOSFET                          
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    安森美碳化硅技術專家“把脈”汽車產業(yè)2024年新風向
    
                                                            
      
                    	
    • 回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經驗總結和對新一年的展望期盼。汽車產業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調整生產和采購策略以應對潛在的風險和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
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    • 關鍵字：
                        智能電源  智能感知  汽車領域  SiC                          
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    帶隙對決：GaN和SiC，哪個會占上風？
    
                                                            
      
                    	
    • 電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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                        GaN  SiC                          
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    意法半導體:SiC新工廠今年投產,豐沛產能滿足井噴市場需求
    
                                                            
      
                    	
    • 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產業(yè)格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區(qū)功率分立和模擬產品器件部市場和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠今年投產第4代SiC MOS即將量產行家說三代半：據(jù)《2023碳化硅（SiC）產業(yè)調研白皮書》統(tǒng)計，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅車型又新增了40多款，預計明年部分
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                        意法半導體  SiC                          
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    sic mosfet模型介紹
    
      			
    
		      	
    
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet模型!
     
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