英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。

集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管

在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD ）較大，基于GaN的拓撲結構可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設計工程師通常需要將外部肖特基二極管與GaN晶體管并聯(lián)，或者通過控制器縮短死區(qū)時間。然而，無論哪種方法都需耗費額外的精力、時間和成本。而英飛凌新推出的 CoolGaN? G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解此類問題，適用于服務器和電信中間總線轉換器IBC）、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機驅動等應用場景。

英飛凌科技中壓GaN產(chǎn)品線副總裁Antoine Jalabert表示：“隨著GaN技術在功率設計中的應用日益廣泛，英飛凌意識到需要不斷改進和提升這項技術，才能滿足客戶不斷變化的需求。此次推出的集成了肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管體現(xiàn)了英飛凌致力于加快以客戶為中心的創(chuàng)新步伐，進一步推動寬禁帶半導體材料的發(fā)展?！?/p>

由于缺乏體二極管，GaN晶體管的反向傳導電壓（VRC）取決于閾值電壓（VTH）和關斷態(tài)下的柵極偏置偏壓（VGS）。此外，GaN晶體管的VTH 通常高于硅二極管的導通電壓，這就導致了反向傳導工作（也稱為第三象限）期間的劣勢。因此，采用這種新型CoolGaN? 晶體管后，反向傳導損耗降低，能與更多高邊柵極驅動器兼容，且由于死區(qū)時間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡化設計。

首款集成肖特基二極管的GaN晶體管為采用3x5mm PQFN封裝的100V 1.5mΩ晶體管。

供貨情況

工程樣品和目標數(shù)據(jù)表可應要求提供。