存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。

3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。

Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。

這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出。

IGZO 是一種半導(dǎo)體材料，以其極低的漏電流、良好的載流子遷移率以及與低溫加工的兼容性而聞名。它已被作為顯示器的薄膜晶體管陣列有源矩陣選擇器推出，因?yàn)樗哂袃?yōu)于非晶硅的移動(dòng)性。

該材料還顯示出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （DRAM） 架構(gòu)的有益特性。IMEC 研究所此前曾提議將 IGZO 用于 2 晶體管 1 電容器 （2T1C） 和無(wú)電容器 2 晶體管 0 電容器 （2T0C） 電池。在 2T0C 設(shè)計(jì)中，讀取晶體管的寄生電容用作存儲(chǔ)元件，無(wú)需單獨(dú)的存儲(chǔ)電容器，可實(shí)現(xiàn)更高的密度和更少的面積消耗。

Neo Semiconductor 的 IGZO DRAM 采用改進(jìn)的 3D-NAND 閃存制造工藝制成。