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    dram 文章 最新資訊

    內存現(xiàn)貨價格更新:DDR4 價格下滑放緩,韓國內存制造商引發(fā)大幅漲價

    • 根據(jù) TrendForce 最新內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DDR4,由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調,之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存,高容量產品受到買方和賣方預期價格差異的限制,實際交易中變得稀缺。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:關于 DDR4 產品的現(xiàn)貨價格,由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價,之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前,DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌,交易量有明顯增加。轉向 DDR5 產品,隨著合約價
    • 關鍵字: 存儲  DRAM  DDR4  

    DDR6 預計將于 2027 年大規(guī)模應用,據(jù)報道內存巨頭已最終完成原型設計

    • 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標準,內存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是,據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道,DDR6 預計將于 2027 年進入大規(guī)模應用。領先的 DRAM 制造商,包括三星、美光和 SK 海力士,已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā),重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述,三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計,現(xiàn)在正與內存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。在
    • 關鍵字: DDR6  DRAM  存儲  

    中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產

    • 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 (CXMT) 和長江存儲科技 (YMTC) 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力,在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。自去年以來,中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角,從傳統(tǒng) DRAM 開始,在國內市場需求和政府補貼的推動下,中國內存正在提高其競爭力。此外,它還對高帶寬內存 (HBM) 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產品線提出了挑戰(zhàn),縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
    • 關鍵字: CXMT  YMTC  DRAM  NAND  

    SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調 20%,因 Q3 需求保持強勁

    • 隨著內存制造商逐步淘汰 DDR4,預計出貨將在 2026 年初結束,合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道,SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內存的合同價格上調約 20%,標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應,該機構指出,三大主要 DRAM 供應商正在將產能重新分配給高端產品,并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此,據(jù) TrendForce 預測,2025 年第三季度主流 DRAM 的平
    • 關鍵字: DDR4  DRAM  存儲  

    內存現(xiàn)貨價格更新:16Gb DDR4 消費者內存價格上升,而 PC 內存失去動力

    • 根據(jù) TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DRAM,16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存,供應商逐步釋放產能資源,加上中國國家補貼的減弱效應,導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降,但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是,16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等
    • 關鍵字: 內存  DDR4  DRAM  

    歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升,據(jù)報道使 DDR5 翻倍,推動南亞科技的庫存暴利

    • 上周,臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價,因為價格飆升。現(xiàn)在,隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利,根據(jù)經(jīng)濟日報的最新數(shù)據(jù),引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù),DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產,南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據(jù)報告稱,南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
    • 關鍵字: DDR4  DRAM  存儲  

    適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

    • 東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展?!斑@些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求,這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲,”該研究所表示。BBCube 結合使用晶圓上晶圓 (WOW) 和晶圓上芯片 (COW) 技術,將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱,而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的,而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓,實現(xiàn)了 10μm 的
    • 關鍵字: DRAM  處理器  3D堆棧集成  

    臺灣地區(qū)的 DRAM 供應商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價,庫存緊張

    • 隨著三星和美光等主要內存制造商減少 DDR4 生產并價格上漲,據(jù)報道,臺灣地區(qū)的主要供應商南亞科技已暫停報價,這表明供應緊張和需求增長,據(jù)經(jīng)濟日報報道。行業(yè)消息人士進一步解釋說,報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場,而在合同市場,供應商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調查發(fā)現(xiàn),由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產以及買家在美國關稅變化前加速采購,服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此,服務器 DDR4 合同價格預計環(huán)比將上漲
    • 關鍵字: DRAM  存儲  市場分析  

    DDR4瘋狂漲價,DRAM廠商爆賺

    • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,由于DDR4供應減少,再加上市場神秘買家大舉出手掃貨,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上,不僅跨過DRAM廠損益平衡點,更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲,甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高,呈現(xiàn)“價格倒掛”,業(yè)界直言:“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大?!备鶕?jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示,6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲,DDR4 8Gb(1G×8)3200大漲7.8%,
    • 關鍵字: DDR4  DRAM  三星  美光  南亞科技  華邦電子  HBM  

    英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

    • 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手,合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案,以替代高帶寬存儲器(HBM)。據(jù)報道,雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品,該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數(shù)據(jù)傳輸專利,軟銀則以30億日元注資成為最大股東(總投資約100億日元)。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產可行性,目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理,而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
    • 關鍵字: 英特爾  軟銀  HBM  DRAM  三星  SK海力士  

    三星考慮進行大規(guī)模內部重組

    • 據(jù)韓媒SEDaily報道,三星半導體部門(即DS設備解決方案部)正對系統(tǒng)LSI業(yè)務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議,相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前,還將進行更多高層討論,并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務主要負責芯片設計,在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務(MX)部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務。然而,近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降,不僅削弱了MX部門的利潤空間,
    • 關鍵字: 三星  HBM  LSI  DRAM  半導體  晶圓代工  

    DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲

    • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM 方面,DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象,預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存,現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平,購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:與 DDR4 產品相比,DDR5 產品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而,DDR5 產品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當高,在某些情況下甚至高于合同價格。因此,上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
    • 關鍵字: DDR5  DRAM  

    Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中

    • 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.(加利福尼亞州圣何塞)推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物(IGZO)變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示,它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 (1T1C) 和三個晶體管、零電容器 (3T0C) X-DRAM 單元,這些單元是可堆疊的。該公司表示,TCAD 仿真預測該技術能夠實現(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間,芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
    • 關鍵字: Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  

    三星因關稅前囤積而提高DRAM價格,DDR4上漲20%

    • 在特朗普加征關稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據(jù)韓國 Etnews 報道,三星一年多來首次提高了 DRAM 價格,其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明,三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款,已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時,該報告補充說,DDR5 價格的漲幅較小,約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是,Etnews 表示,由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎進行談判的,因此最近的上漲預計將在一段時間內支持盈利能力,從而為三星第二
    • 關鍵字: 三星  DRAM  DDR4  

    撐不住, SK海力士DRAM漲12%

    • 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價格上漲,消費級存儲器產品價格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動態(tài),SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%,落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價格上調通知,自4月1日起,對所有通路商及零售客戶的產品實施價格調整,漲幅將超過10%。市場分析人士指出,存儲器價格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術的快速發(fā)展,持續(xù)推動了對高性能內存的強勁需求,存儲器國際大廠集中資源,生
    • 關鍵字: SK海力士  DRAM  
    共1856條 1/124 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

    dram介紹

    DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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