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內存現(xiàn)貨價格更新:DDR4 價格下滑放緩,韓國內存制造商引發(fā)大幅漲價
- 根據(jù) TrendForce 最新內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DDR4,由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調,之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存,高容量產品受到買方和賣方預期價格差異的限制,實際交易中變得稀缺。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:關于 DDR4 產品的現(xiàn)貨價格,由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價,之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前,DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌,交易量有明顯增加。轉向 DDR5 產品,隨著合約價
- 關鍵字: 存儲 DRAM DDR4
DDR6 預計將于 2027 年大規(guī)模應用,據(jù)報道內存巨頭已最終完成原型設計
- 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標準,內存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是,據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道,DDR6 預計將于 2027 年進入大規(guī)模應用。領先的 DRAM 制造商,包括三星、美光和 SK 海力士,已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā),重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述,三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計,現(xiàn)在正與內存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。在
- 關鍵字: DDR6 DRAM 存儲
內存現(xiàn)貨價格更新:16Gb DDR4 消費者內存價格上升,而 PC 內存失去動力
- 根據(jù) TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DRAM,16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存,供應商逐步釋放產能資源,加上中國國家補貼的減弱效應,導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降,但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是,16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等
- 關鍵字: 內存 DDR4 DRAM
歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升,據(jù)報道使 DDR5 翻倍,推動南亞科技的庫存暴利
- 上周,臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價,因為價格飆升。現(xiàn)在,隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利,根據(jù)經(jīng)濟日報的最新數(shù)據(jù),引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù),DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產,南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據(jù)報告稱,南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
- 關鍵字: DDR4 DRAM 存儲
臺灣地區(qū)的 DRAM 供應商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價,庫存緊張
- 隨著三星和美光等主要內存制造商減少 DDR4 生產并價格上漲,據(jù)報道,臺灣地區(qū)的主要供應商南亞科技已暫停報價,這表明供應緊張和需求增長,據(jù)經(jīng)濟日報報道。行業(yè)消息人士進一步解釋說,報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場,而在合同市場,供應商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調查發(fā)現(xiàn),由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產以及買家在美國關稅變化前加速采購,服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此,服務器 DDR4 合同價格預計環(huán)比將上漲
- 關鍵字: DRAM 存儲 市場分析
DDR4瘋狂漲價,DRAM廠商爆賺

- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,由于DDR4供應減少,再加上市場神秘買家大舉出手掃貨,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上,不僅跨過DRAM廠損益平衡點,更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲,甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高,呈現(xiàn)“價格倒掛”,業(yè)界直言:“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大?!备鶕?jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示,6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲,DDR4 8Gb(1G×8)3200大漲7.8%,
- 關鍵字: DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手,合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案,以替代高帶寬存儲器(HBM)。據(jù)報道,雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品,該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數(shù)據(jù)傳輸專利,軟銀則以30億日元注資成為最大股東(總投資約100億日元)。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產可行性,目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理,而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關鍵字: 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進行大規(guī)模內部重組

- 據(jù)韓媒SEDaily報道,三星半導體部門(即DS設備解決方案部)正對系統(tǒng)LSI業(yè)務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議,相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前,還將進行更多高層討論,并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務主要負責芯片設計,在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務(MX)部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務。然而,近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降,不僅削弱了MX部門的利潤空間,
- 關鍵字: 三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM 方面,DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象,預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存,現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平,購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:與 DDR4 產品相比,DDR5 產品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而,DDR5 產品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當高,在某些情況下甚至高于合同價格。因此,上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
- 關鍵字: DDR5 DRAM
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.(加利福尼亞州圣何塞)推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物(IGZO)變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示,它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 (1T1C) 和三個晶體管、零電容器 (3T0C) X-DRAM 單元,這些單元是可堆疊的。該公司表示,TCAD 仿真預測該技術能夠實現(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間,芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
- 關鍵字: Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價格上漲,消費級存儲器產品價格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動態(tài),SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%,落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價格上調通知,自4月1日起,對所有通路商及零售客戶的產品實施價格調整,漲幅將超過10%。市場分析人士指出,存儲器價格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術的快速發(fā)展,持續(xù)推動了對高性能內存的強勁需求,存儲器國際大廠集中資源,生
- 關鍵字: SK海力士 DRAM
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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