瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺(tái)，該平臺(tái)具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購(gòu) Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動(dòng)器 IC 產(chǎn)品線集成后對(duì) GaN 技術(shù)的持續(xù)投資。

與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺(tái)的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。

在比較測(cè)試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應(yīng)用中的損耗比領(lǐng)先的碳化硅 MOSFET 和 JFET 低 10-30%?！霸谌魏晤l率下，GaN 的損耗都低于碳化硅，”副總裁 Primit Parikh 解釋道?！斑@個(gè)差距在更高的頻率下會(huì)擴(kuò)大，從 100 kHz 范圍開(kāi)始?！?/p>

當(dāng)被問(wèn)及與其他 GaN 供應(yīng)商的競(jìng)爭(zhēng)比較時(shí)，Parikh 指出了他們的 D 模式架構(gòu)優(yōu)勢(shì)：“我們對(duì) 30 毫歐 GaN 所做的工作，它需要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 22 至 25 毫歐 E 模式 GaN”才能實(shí)現(xiàn)同等性能。

傳統(tǒng)的硅功率器件在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中已達(dá)到物理極限。“這是功率的摩爾定律，功率密度隨著時(shí)間的推移而增加，”P(pán)arikh 解釋說(shuō)?！癎aN 在硅停滯不前的地方起飛?！?/p>

該平臺(tái)面向基礎(chǔ)設(shè)施、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源、UPS 系統(tǒng)、電池儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施和太陽(yáng)能逆變器。這些應(yīng)用需要更高的效率和緊湊的外形尺寸，這是傳統(tǒng)硅無(wú)法提供的。

瑞薩電子與加利福尼亞、日本和臺(tái)灣的地理多元化制造保持垂直整合?！罢缥覀兿矚g說(shuō)的那樣，在氮化鎵中，該過(guò)程是產(chǎn)品的一部分，”P(pán)arikh 強(qiáng)調(diào)說(shuō)。

該公司正在從 6 英寸擴(kuò)展到 8 英寸晶圓，同時(shí)仔細(xì)評(píng)估未來(lái)的過(guò)渡。“當(dāng)你從 8 英寸到 12 英寸時(shí)，你就會(huì)從多晶片反應(yīng)器變成單晶片反應(yīng)器。這種經(jīng)濟(jì)性并非微不足道，“Parikh 在問(wèn)答中解釋道。

關(guān)于 1200V GaN 開(kāi)發(fā)，Parikh 證實(shí)“我們暫時(shí)暫停了 1200V 開(kāi)發(fā)，因?yàn)槲覀儗?zhuān)注于 650、700 伏和我們的生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品”，同時(shí)與特定客戶(hù)一起監(jiān)控市場(chǎng)時(shí)機(jī)。

瑞薩電子通過(guò)暫時(shí)停止碳化硅開(kāi)發(fā)來(lái)轉(zhuǎn)移資源?！拌b于碳化硅的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，瑞薩電子已暫時(shí)暫停碳化物，”P(pán)arikh 表示，并將投資轉(zhuǎn)向 GaN 生態(tài)系統(tǒng)的擴(kuò)展。

“瑞薩電子正在加倍投資 GaN...可能不會(huì)加倍，甚至不會(huì)三倍，“Parikh 指出，這反映了該公司對(duì) 25 瓦到數(shù)千瓦功率范圍的承諾。

現(xiàn)場(chǎng)可靠性數(shù)據(jù)顯示，包括服務(wù)器電源、工業(yè) UPS 系統(tǒng)和太陽(yáng)能微型逆變器在內(nèi)的各種應(yīng)用運(yùn)行時(shí)間超過(guò) 3150 億小時(shí)。然而，Parikh 承認(rèn)，“截至今天，大部分 GaN 插入都在低功率充電器和適配器市場(chǎng)”，在早期增長(zhǎng)階段采用的功率更高。