sic mosfet模型 文章 最新資訊
SiC市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導通。然而，開關模式在應用中通常需要常關狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
- 關鍵字： SiC 共源共柵 cascode 安森美
ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
- 關鍵字： ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
Wolfspeed破產傳聞使瑞薩電子20億SiC供應交易面臨風險
- 據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報道，據(jù)報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產保護。報告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰(zhàn)略計劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協(xié)議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國破產法第 11 章申請破產保護，瑞薩電子可能
- 關鍵字： Wolfspeed 破產 瑞薩電子 SiC
東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
- 關鍵字： 東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
東芝在SiC專利申請中挑戰(zhàn)泰科天潤
- 中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國分析機構 KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發(fā)展為標志，以匹配 Global Power Technology的專利數(shù)量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個
- 關鍵字： 東芝 SiC 專利申請 泰科天潤
CHIPS 法案、電動汽車關稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機
- 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴峻的現(xiàn)金危機。作為車用碳化硅行業(yè)的領導廠商，Wolfspeed近年來投入數(shù)十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經濟低迷和關稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進增長，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權保護?！白鳛槲覀冑J方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說。據(jù)報道，資產管理公
- 關鍵字： CHIPS Wolfspeed SiC
SiC開始加速批量上車
- 在新能源汽車技術的演進歷程中，碳化硅（SiC）技術已成為推動行業(yè)發(fā)展的關鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車的核心系統(tǒng)，開啟了新能源汽車性能提升與技術創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術的應用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實現(xiàn)批量上車，重塑新能源汽車的技術格局與市場競爭態(tài)勢。碳化硅實現(xiàn)多價格區(qū)間車型覆蓋SiC 技術已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區(qū)間的車型
- 關鍵字： SiC
SiC襯底市場 去年營收減9%
- TrendForce最新研究，2024年汽車、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產品價格大幅下跌，導致2024年全球N-type（導電型）SiC基板產業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。進入2025年，即便SiC基板市場持續(xù)面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導體元件技術不斷提升，未來SiC應用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領域的多樣化。 同時，市場競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應商營收
- 關鍵字： SiC 襯底 TrendForce
內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用
- 全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
- 關鍵字： 羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
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