sk海力士 文章 最新資訊
Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動(dòng)高帶寬閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化
- Sandisk閃迪公司正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBFTM）技術(shù)規(guī)范。這項(xiàng)新興技術(shù)旨在為下一代人工智能推理提供突破性的存儲容量和性能支持。通過此次合作，雙方將致力于推動(dòng)該技術(shù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)化，明確技術(shù)要求，并共同探索構(gòu)建高帶寬閃存技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)。閃迪公司執(zhí)行副總裁、首席技術(shù)官兼HBF技術(shù)顧問委員會成員Alper Ilkbahar表示：“當(dāng)前，AI行業(yè)對可擴(kuò)
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為什么三星的頂尖人才會被SK海力士奪走
- 嚴(yán)格的等級制度和規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)的文化正在推動(dòng)韓國芯片巨頭悄然外流在三星電子監(jiān)督 DRAM 工藝十年后，一位名叫 A 的 43 歲工程師于 2023 年接受了 SK 海力士的工作。最讓他驚訝的不是技術(shù)工作，而是從他所謂的“偽造報(bào)道文化”中解放出來。在三星，跨部門項(xiàng)目經(jīng)常暴露工藝或設(shè)計(jì)方面的缺陷，但這些缺陷通常被淡化以避免內(nèi)部指責(zé)?！懊總€(gè)人都知道這場比賽，”他說?！氨M量減少問題，否則你的團(tuán)隊(duì)會被燒毀?！惫こ處烞從頂尖工程大學(xué)畢業(yè)后加入三星，在公司工作了八年，他也表達(dá)了同樣的觀點(diǎn)。他預(yù)計(jì)韓國領(lǐng)先的芯片制造商之間幾乎沒
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只有前5%公司在全球AI半導(dǎo)體市場中獲得利潤
- 根據(jù)全球咨詢公司麥肯錫公司(McKinsey & Company)7月20日發(fā)布的一份報(bào)告,半導(dǎo)體行業(yè)排名前5%的公司(基于年銷售額),包括NVIDIA,臺積電,SK海力士和博通(Broadcom)去年創(chuàng)造了所有利潤。前5%的公司獲得的經(jīng)濟(jì)利潤為1590億美元,而公司利潤的中間90%被限制在50億美元。最底層的5%公司實(shí)際上遭受了370億美元的損失。實(shí)際上,前5%的公司收到的成績單,超過了整個(gè)半導(dǎo)體市場創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)利潤(1470億美元)。這種市場轉(zhuǎn)變發(fā)生在2-3年內(nèi)。在COVID-19大流行期間(2
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如果美國撤銷芯片工具豁免：解析臺積電、三星和 SK 海力的中國業(yè)務(wù)
- 美國商務(wù)部正在考慮撤銷此前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們在中國的運(yùn)營制造新的障礙，據(jù)路透社報(bào)道。引自華爾街日報(bào)，Wccftech 指出，工業(yè)與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動(dòng)結(jié)束允許美國芯片設(shè)備制造商向這些公司中國工廠出售關(guān)鍵工具的豁免。報(bào)道補(bǔ)充說，這可能導(dǎo)致它們獲取美國制造設(shè)備的規(guī)定更加嚴(yán)格。根據(jù) Tom's Hardware，該審查針對的是在美國于 2022 年底限制向中國出口芯片制造工具后授予非中國芯片制造商
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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英偉達(dá)降級版H20或用GDDR取代HBM
- 在英偉達(dá)H20受到最新出口限制之后，其正在開發(fā)該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開拓中國市場，最早可能在7月發(fā)布。降級版H20性能預(yù)計(jì)會有較為明顯的下調(diào)，尤其是在內(nèi)存容量方面，據(jù)TrendForce報(bào)道英偉達(dá)可能會用GDDR取代HBM。英偉達(dá)HBM3的供應(yīng)商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應(yīng)商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現(xiàn)有的供應(yīng)鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達(dá)在GDDR7上合作的經(jīng)驗(yàn)，值得注意的是，現(xiàn)階段GDDR7的供應(yīng)主要由三星提供支持，S
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長江存儲主導(dǎo)混合鍵合專利，韓存儲巨頭三星和SK海力士壓力山大
- 隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報(bào)告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報(bào)告強(qiáng)調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。 據(jù)報(bào)道，三星電子已與長江存儲簽署了一項(xiàng)許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規(guī)避長江存儲的專利的挑戰(zhàn)，這些專利被認(rèn)為難以避免。報(bào)告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價(jià)格上漲，消費(fèi)級存儲器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動(dòng)態(tài)，SK海力士消費(fèi)級DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調(diào)通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調(diào)整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運(yùn)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)了對高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
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DDR4加速退場，DDR5成為主流
- 三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王
- 4月24日消息，韓國內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財(cái)報(bào)，Q1營業(yè)利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預(yù)期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達(dá)到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績，此前該公司上一季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達(dá)HBM(高帶寬存儲器)的重要供應(yīng)商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強(qiáng)勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報(bào)告期內(nèi)，SK海力士占據(jù)了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4
- 三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認(rèn)為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時(shí)將資源轉(zhuǎn)向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內(nèi)內(nèi)存價(jià)格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應(yīng)鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL）
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗(yàn)證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲技術(shù)創(chuàng)新
- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗(yàn)證，是基于CXL* 2.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴(kuò)展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運(yùn)營數(shù)據(jù)中心時(shí)所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗(yàn)證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗(yàn)證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
- 關(guān)鍵字： SK海力士 CXL 2.0 DDR5 數(shù)據(jù)中心存儲
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達(dá)70%
- 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報(bào)告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計(jì)占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
- 關(guān)鍵字： SK海力士 三星 DRAM
sk海力士介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sk海力士的理解，并與今后在此搜索sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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